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品类: IGBT晶体管描述: INFINEON IKB10N60T 单晶体管, IGBT, 10 A, 2.05 V, 110 W, 600 V, TO-263, 3 引脚602310+￥11.3760100+￥10.8072500+￥10.42801000+￥10.40902000+￥10.33325000+￥10.23847500+￥10.162610000+￥10.1246 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，On Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管 (IGBT)，用于电动机驱动器和其他高电流切换应用。 ### IGBT 分立，On Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。12925+￥33.508850+￥32.0768200+￥31.2749500+￥31.07441000+￥30.87392500+￥30.64485000+￥30.50167500+￥30.3584 -
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品类: IGBT晶体管描述: 点火IGBT Ignition IGBT414510+￥9.4920100+￥9.0174500+￥8.70101000+￥8.68522000+￥8.62195000+￥8.54287500+￥8.479510000+￥8.4479 -
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品类: IGBT晶体管描述: 点火IGBT Ignition IGBT198910+￥7.9080100+￥7.5126500+￥7.24901000+￥7.23582000+￥7.18315000+￥7.11727500+￥7.064510000+￥7.0381 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，On Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管 (IGBT)，用于电动机驱动器和其他高电流切换应用。 ### IGBT 分立，On Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。53471+￥57.822010+￥55.3080100+￥54.8555250+￥54.5035500+￥53.95041000+￥53.69902500+￥53.34715000+￥53.0454 -
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品类: IGBT晶体管描述: 点火IGBT Ignition IGBT777210+￥9.4920100+￥9.0174500+￥8.70101000+￥8.68522000+￥8.62195000+￥8.54287500+￥8.479510000+￥8.4479 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 390V 20A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/R48825+￥4.603525+￥4.262550+￥4.0238100+￥3.9215500+￥3.85332500+￥3.76815000+￥3.734010000+￥3.6828 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3Pin D2PAK T/R87641+￥49.117210+￥46.2990100+￥44.2055250+￥43.8834500+￥43.56131000+￥43.19902500+￥42.87695000+￥42.6756 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 高达 20A，Infineon 优化的 IGBT 设计用于中频应用，可快速响应，为用户提供最大效率。 这些设备利用 FRED 经优化的二极管，从而提供最佳的 IGBT 性能 ### IGBT 晶体管，International Rectifier International Rectifier 提供全面的 IGBT（绝缘栅级双极性晶体管）产品组合，范围从 300V 到 1200V，采用各种技术，可最大程度降低切换和传导损耗，从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模，专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块，可使用可焊接前部金属 (SFM) 压模来消除连接线，从而实现双面冷却，提高热敏性能、可靠性和效率。18045+￥15.947150+￥15.2656200+￥14.8840500+￥14.78861000+￥14.69312500+￥14.58415000+￥14.51607500+￥14.4478 -
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品类: IGBT晶体管描述: STGB19NC60H 系列 600 V 19 A 耐短路 IGBT 表面贴装 - D2PAK16925+￥15.561050+￥14.8960200+￥14.5236500+￥14.43051000+￥14.33742500+￥14.23105000+￥14.16457500+￥14.0980 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 1200V 11A 60000mW 3Pin(2+Tab) D2PAK Tube863210+￥8.7480100+￥8.3106500+￥8.01901000+￥8.00442000+￥7.94615000+￥7.87327500+￥7.814910000+￥7.7857 -
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品类: IGBT晶体管描述: ROHM RGT16NS65DGTL 单晶体管, IGBT, 场截止沟道, 16 A, 1.65 V, 94 W, 650 V, TO-263S, 3 引脚82825+￥13.326350+￥12.7568200+￥12.4379500+￥12.35821000+￥12.27842500+￥12.18735000+￥12.13047500+￥12.0734 -
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品类: IGBT晶体管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ISL9V3040S3ST 单晶体管, IGBT, 21 A, 1.25 V, 150 W, 400 V, TO-263AB, 3 引脚85535+￥16.578950+￥15.8704200+￥15.4736500+￥15.37451000+￥15.27532500+￥15.16195000+￥15.09117500+￥15.0202 -
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品类: IGBT晶体管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ISL9V5036S3ST 单晶体管, IGBT, 46 A, 1.17 V, 250 W, 360 V, TO-263AB, 3 引脚41375+￥22.347050+￥21.3920200+￥20.8572500+￥20.72351000+￥20.58982500+￥20.43705000+￥20.34157500+￥20.2460 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，STMicroelectronics ### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。127610+￥10.0200100+￥9.5190500+￥9.18501000+￥9.16832000+￥9.10155000+￥9.01807500+￥8.951210000+￥8.9178 -
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品类: IGBT晶体管描述: 在NPT技术的快速IGBT Fast IGBT in NPT-technology37785+￥27.916250+￥26.7232200+￥26.0551500+￥25.88811000+￥25.72112500+￥25.53025000+￥25.41097500+￥25.2916 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 150000mW 3Pin(2+Tab) TO-263AA85441+￥57.327810+￥54.0385100+￥51.5950250+￥51.2191500+￥50.84321000+￥50.42032500+￥50.04445000+￥49.8094 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，Fairchild Semiconductor ### IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。507810+￥7.2840100+￥6.9198500+￥6.67701000+￥6.66492000+￥6.61635000+￥6.55567500+￥6.507010000+￥6.4828 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，Fairchild Semiconductor ### IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。99355+￥13.852850+￥13.2608200+￥12.9293500+￥12.84641000+￥12.76352500+￥12.66885000+￥12.60967500+￥12.5504 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 34A 3Pin (2+Tab) D2PAK60325+￥18.743450+￥17.9424200+￥17.4938500+￥17.38171000+￥17.26962500+￥17.14145000+￥17.06137500+￥16.9812 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 晶体管 900V 8A 2.5V XPT IGBTs GenX3 w/ Diode59125+￥29.612750+￥28.3472200+￥27.6385500+￥27.46141000+￥27.28422500+￥27.08175000+￥26.95527500+￥26.8286 -
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品类: IGBT晶体管描述: EcoSPARKTM 300mJ ， 360V ， N沟道IGBT点火 EcoSPARKTM 300mJ, 360V, N-Channel Ignition IGBT67615+￥19.106150+￥18.2896200+￥17.8324500+￥17.71811000+￥17.60372500+￥17.47315000+￥17.39157500+￥17.3098 -
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品类: IGBT晶体管描述: ON Semiconductor ISL9V2540S3ST N沟道 IGBT, 15.5 A, Vce=450 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装485810+￥9.9240100+￥9.4278500+￥9.09701000+￥9.08052000+￥9.01435000+￥8.93167500+￥8.865410000+￥8.8324 -
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品类: IGBT晶体管描述: EcoSPARKTM 500mJ ， 360V ， N沟道IGBT点火 EcoSPARKTM 500mJ, 360V, N-Channel Ignition IGBT1270 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 600V 31A 100W D2PAK35225+￥22.370450+￥21.4144200+￥20.8790500+￥20.74521000+￥20.61142500+￥20.45845000+￥20.36287500+￥20.2672 -
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品类: IGBT晶体管描述: Co-Pack IGBT 高达 20A，Infineon Infineon 的隔离栅极双极晶体管 (IGBT) 为用户提供完整系列选项，以确保覆盖您的应用。 高效额定值使此系列 IGBT 可用于各种应用，且由于具有低切换损耗，可支持各种切换频率。 IGBT 带组合封装快速软恢复并联二极管，用于桥式配置 ### IGBT 晶体管，International Rectifier International Rectifier 提供全面的 IGBT（绝缘栅级双极性晶体管）产品组合，范围从 300V 到 1200V，采用各种技术，可最大程度降低切换和传导损耗，从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模，专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块，可使用可焊接前部金属 (SFM) 压模来消除连接线，从而实现双面冷却，提高热敏性能、可靠性和效率。21525+￥4.414525+￥4.087550+￥3.8586100+￥3.7605500+￥3.69512500+￥3.61345000+￥3.580710000+￥3.5316 -
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品类: IGBT晶体管描述: INFINEON IGB10N60TATMA1 单晶体管, IGBT, 10 A, 2.05 V, 110 W, 600 V, TO-263, 3 引脚12485+￥6.642025+￥6.150050+￥5.8056100+￥5.6580500+￥5.55962500+￥5.43665000+￥5.387410000+￥5.3136 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT，Fairchild Semiconductor 这些** EcoSPARK2** IGBT 设备经过优化，可用于驱动汽车点火线圈。 它们经过应力测试，符合 AEC-Q101 标准。 逻辑电平栅极驱动 ESD 保护 应用：汽车点火线圈驱动器电路、线圈式火花塞应用。 **RS 产品代码** 807-0776 FGD3440G2_F085 400V 25A DPAK 864-8818 FGB3440G2_F085 400V 25A D2PAK-2 864-8893 FGP3440G2_F085 400V 25A TO220 864-8880 FGI3040G2_F085 400V 25A I2PAK 864-8899 FGP3040G2_F085 400V 25A TO220 864-8827 FGD3245G2_F085 450V 23A DPAK 864-8809 FGB3245G2_F085 450V 23A D2PAK-2 ### 注 所述电流额定值在接点温度 Tc = +110°C 时适用。 ### 标准 AEC-Q101 ### IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。857410+￥11.7360100+￥11.1492500+￥10.75801000+￥10.73842000+￥10.66025000+￥10.56247500+￥10.484210000+￥10.4450 -
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品类: IGBT晶体管描述: 分离式 IGBT，Fairchild Semiconductor ### IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。336910+￥11.3160100+￥10.7502500+￥10.37301000+￥10.35412000+￥10.27875000+￥10.18447500+￥10.109010000+￥10.0712
